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        紫外探测器光电器件
        更新时间:2018-04-17 11:19:23    点击:365次

        2015年3月,大运网彩票官网历时两年潜心研发的“紫外探测器光电器件”项目完成设计确认,顺利转入新产品投产阶段。作为光电器件的重要组成部分,该产品的推出扩展了我司在GaN材料应用领域的应用范围,填补了国产GaN基紫外探测器产品的空白。对我司GaN基光电器件多样化的发展有着非常重要的意义。

            在紫外探测领域,传统的方法是采用光电倍增管或硅探测器对紫外辐射进行探测。光电倍增管虽然响应高,但需要大的功率电源和阴极制冷,因此体积大、功耗大、价格高;硅探测器虽然也能够实现对紫外光的探测,但其对可见光有很强的吸收,当用于紫外探测时,必须附加复杂的滤光系统。相比之下,GaN基紫外探测器具有全固态,体积小,能够本征实现对波长小于365nm的紫外光的探测,不受可见光的干扰,可广泛应用于紫外告警、火焰监测、紫外辐照标定等领域。

            目前我司探测器产品的响应范围覆盖UVA波段,主要特点为暗电流低(ID<10-10A),响应度高(Rmax>0.21A/W--355nm),在UVA波段可有效替代光电倍增管、硅探测器等传统光电器件。已使用产品客户反映良好,获得了客户的肯定。我司可根据多种应用领域为客户订制不同规格的产品,欢迎广大厂家用户咨询了解。

        1312紫外探测器规格书新.pdf      1026紫外探测器规格书新.pdf   

        2040紫外探测器规格书新.pdf

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